Trench MOSFET,Trench MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Trench MOSFET

Trench MOSFET

Development of RF Power Trench MOSFET;

射频功率Trench MOSFET研制

2) Trench DMOS

Trench DMOS

Based on the Trench DMOS technology, a type of AC/DC switch power supply management IC is designed.

本论文基于Trench DMOS工艺,设计了一种AC/DC开关电源管理芯片。

3) MOSFET

MOSFET

Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining;

MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制

Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver;

步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计

Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects;

MOSFET辐射效应测试装置的研制

4) MOSFET~{

MOSFET's

5) Power MOSFET

Power MOSFET

Research on the Switching Property of Power MOSFET under Practical Application Conditions(Ⅰ);

实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(上)

6) MOSFET

MOSFET管

Research on the on-off characteristics based on MOSFET voltage-type inverter;

基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究

Then based on analysis of the driving character of giant magnetostrictive material and the driving power of giant magnetostrictive actuator, we give a circuit of driving power of giant magnetostrictive actuator on MOSFET.

介绍了稀土超磁致伸缩微致动器的结构、工作原理 ,给出了基于功率MOSFET管的超磁致伸缩执行器驱动电源的电路 ,实验表明该驱动电源可以满足微致动器的工作需要。

参考词条

SOI MOSFET RF MOSFET MOSFET栅 MOSFET-C n-MOSFET p-MOSFET DG MOSFET MOSFET/SOI MOSFET s GeSi MOSFET RG-MOSFET LDD MOSFET GaAs MOSFET SBSD-MOSFET 功率MOSFET 大功率MOSFET 功率MOSFET管砼水化热

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引 MOSFET 管 Si-MOSFET MOSFET/IGBT

1) Trench MOSFET Trench MOSFET 1. Development of RF Power Trench MOSFET; 射频功率Trench MOSFET研制 2) Trench DMOS Trench DMOS 1. Based on the Trench DMOS technology, a type of AC/DC switch power supply management IC is designed. 本论文基于Trench DMOS工艺,设计了一种AC/DC开关电源管理芯片。 3) MOSFET MOSFET 1. Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining; MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制 2. Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver; 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计 3. Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects; MOSFET辐射效应测试装置的研制 4) MOSFET~{ MOSFET's 5) Power MOSFET Power MOSFET 1. Research on the Switching Property of Power MOSFET under Practical Application Conditions(Ⅰ); 实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(上) 6) MOSFET MOSFET管 1. Research on the on-off characteristics based on MOSFET voltage-type inverter; 基于MOSFET管的电压型逆变器开关特性研究 2. Then based on analysis of the driving character of giant magnetostrictive material and the driving power of giant magnetostrictive actuator, we give a circuit of driving power of giant magnetostrictive actuator on MOSFET. 介绍了稀土超磁致伸缩微致动器的结构、工作原理 ,给出了基于功率MOSFET管的超磁致伸缩执行器驱动电源的电路 ,实验表明该驱动电源可以满足微致动器的工作需要。参考词条 SOI MOSFET RF MOSFET MOSFET栅 MOSFET-C n-MOSFET p-MOSFET DG MOSFET MOSFET/SOI MOSFET s GeSi MOSFET RG-MOSFET LDD MOSFET GaAs MOSFET SBSD-MOSFET 功率MOSFET 大功率MOSFET 功率MOSFET管砼水化热补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com