DG MOSFET,DG MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) DG MOSFET

DG MOSFET

Simulation of Ballistic Transport Including S/D Tunneling for DG MOSFET;

考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟

2) DG

With the development of renewable energy resource, distributed generation (DG) has become an important form of electrical source.

随着可再生能源的推广,分布式发电(Distributed Generation,DG)已成为一种重要的电力电源形式。

3) MOSFET

MOSFET

Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining;

MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制

Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver;

步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计

Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects;

MOSFET辐射效应测试装置的研制

4) MOSFET~{

MOSFET's

5) 188Re-DTPA-DG

188Re-DTPA-DG

Objective To investigate the influence of 188Re-DTPA-DG on human pulmonary carcinoma cell line and elucidate its possible mechanism.

目的研究不同浓度188Re-DTPA-DG(188Re标记二乙三胺五乙酸-葡糖胺)对人肺癌细胞A549增殖的影响,探讨其作用机制。

The preparation and biodistribution of 188Re-DTPA-DG in nude mice bearing MCF-7 mammary cancer cell are studied.

制备了188Re-DTPA-DG,并观察了其在荷MCF-7乳腺癌裸鼠体内的分布。

Objective: To evaluate the radiobiodistribution and internal dosimetry of 188Re-DTPA-DG (diethylenetriaminepentaacetic acid-deoxyglucose) in target organs in nude mice bearing MCF-7 mammary cancer cell.

目的:估算188Re-DTPA-DG(二乙三胺五乙酸-脱氧葡萄糖)肿瘤治疗中肿瘤和主要器官内照射吸收剂量。

6) 99mTc-DTPA-DG

99mTc-DTPA-DG

[Objective] This study was to evaluate the effect of 99mTc-diethylenetriamine pentaaceitc acid-glucosamine (99mTc-DTPA-DG) on the DNA cloning of breast cancer cells MCF, and approach their potential value to cancer diagnosis and therapeatics as molecular imaging modalities.

目的观察99mTc-DTPA-DG对人乳腺癌MCF-7细胞DNA合成的影响,探讨99mTc-DTPA-DG作为一种分子显像剂评价肿瘤的疗效。

参考词条

DG-LANMAR DG-DGGE 99Tcm-DTPA-DG β-DG Power MOSFET MOSFET管 MOSFET 管 Si-MOSFET MOSFET/IGBT Trench MOSFET SOI MOSFET RF MOSFET MOSFET栅 MOSFET-C n-MOSFET p-MOSFET 现代艺术博物馆水处理效果

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

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1) DG MOSFET DG MOSFET 1. Simulation of Ballistic Transport Including S/D Tunneling for DG MOSFET; 考虑源漏隧穿的DG MOSFET弹道输运及其模拟 2) DG DG 1. With the development of renewable energy resource, distributed generation (DG) has become an important form of electrical source. 随着可再生能源的推广,分布式发电(Distributed Generation,DG)已成为一种重要的电力电源形式。 3) MOSFET MOSFET 1. Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining; MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制 2. Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver; 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计 3. Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects; MOSFET辐射效应测试装置的研制 4) MOSFET~{ MOSFET's 5) 188Re-DTPA-DG 188Re-DTPA-DG 1. Objective To investigate the influence of 188Re-DTPA-DG on human pulmonary carcinoma cell line and elucidate its possible mechanism. 目的研究不同浓度188Re-DTPA-DG(188Re标记二乙三胺五乙酸-葡糖胺)对人肺癌细胞A549增殖的影响,探讨其作用机制。 2. The preparation and biodistribution of 188Re-DTPA-DG in nude mice bearing MCF-7 mammary cancer cell are studied. 制备了188Re-DTPA-DG,并观察了其在荷MCF-7乳腺癌裸鼠体内的分布。 3. Objective: To evaluate the radiobiodistribution and internal dosimetry of 188Re-DTPA-DG (diethylenetriaminepentaacetic acid-deoxyglucose) in target organs in nude mice bearing MCF-7 mammary cancer cell. 目的:估算188Re-DTPA-DG(二乙三胺五乙酸-脱氧葡萄糖)肿瘤治疗中肿瘤和主要器官内照射吸收剂量。 6) 99mTc-DTPA-DG 99mTc-DTPA-DG 1. [Objective] This study was to evaluate the effect of 99mTc-diethylenetriamine pentaaceitc acid-glucosamine (99mTc-DTPA-DG) on the DNA cloning of breast cancer cells MCF, and approach their potential value to cancer diagnosis and therapeatics as molecular imaging modalities. 目的观察99mTc-DTPA-DG对人乳腺癌MCF-7细胞DNA合成的影响,探讨99mTc-DTPA-DG作为一种分子显像剂评价肿瘤的疗效。参考词条 DG-LANMAR DG-DGGE 99Tcm-DTPA-DG β-DG Power MOSFET MOSFET管 MOSFET 管 Si-MOSFET MOSFET/IGBT Trench MOSFET SOI MOSFET RF MOSFET MOSFET栅 MOSFET-C n-MOSFET p-MOSFET 现代艺术博物馆水处理效果补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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