SOI MOSFET,SOI MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) SOI MOSFET

SOI MOSFET

A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SOI MOSFETs;

纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

Distortion Behavior for SOI MOSFET;

SOI MOSFET的失真行为(英文)

A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET;

全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型

2) MOSFET/SOI

MOSFET/SOI

Hot Carrier-Induced Interface Traps in N-Channel MOSFET/SOI Characterized by a Forward Gated Diode Technique;

热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征

3) fully depleted SOI-MOSFET

全耗尽SOI-MOSFET

A novel approximation of the two-dimensional(2D)potential function perpendicular to the channel is proposed,and then an analytical threshold voltage model for a fully depleted SOI-MOSFET with a non-uniform Gaussian distribution doping profile is given based on this approximation.

对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型。

4) asymmetric SOI MOSFET

不对称SOI MOSFET

5) SOI

SOI

Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation;

SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟

The Design of Three-Axis Accelerometer Based on SOI;

基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计

Simulation experiment of tolerance of irradiation about domestic SOI 1750A microprocessor;

国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验

6) Silicon on insulator

SOI

An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.

采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。

A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed.

根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。

Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect.

绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。

参考词条

SOI MOSFETs SOI LDMOS PD SOI SiGe/SOI SRAM/SOI SOI-LDMOS SDB/SOI SOI/SiGeOI Si1-xGex/SOI SOI/CMOS CMOS/SOI SOI NMOSFET SOS/SOI SOI PICs Power MOSFET MOSFET管 MOSFET 管体育场（馆）

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

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1) SOI MOSFET SOI MOSFET 1. A Modified Threshold-Voltage Model for Nanometer Fully Depleted SOI MOSFETs; 纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型 2. Distortion Behavior for SOI MOSFET; SOI MOSFET的失真行为(英文) 3. A New Threshold Voltage Shift Model Due to Radiation in Fully-Depleted SOI MOSFET; 全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型 2) MOSFET/SOI MOSFET/SOI 1. Hot Carrier-Induced Interface Traps in N-Channel MOSFET/SOI Characterized by a Forward Gated Diode Technique; 热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 3) fully depleted SOI-MOSFET 全耗尽SOI-MOSFET 1. A novel approximation of the two-dimensional(2D)potential function perpendicular to the channel is proposed,and then an analytical threshold voltage model for a fully depleted SOI-MOSFET with a non-uniform Gaussian distribution doping profile is given based on this approximation. 对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈值电压解析模型。 4) asymmetric SOI MOSFET 不对称SOI MOSFET 5) SOI SOI 1. Study of the Single-Event Effect of SOI NMOSFET by 3-D Simulation; SOI NMOSFET单粒子效应的3-D模拟 2. The Design of Three-Axis Accelerometer Based on SOI; 基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计 3. Simulation experiment of tolerance of irradiation about domestic SOI 1750A microprocessor; 国产SOI 1750A微处理器抗辐射效应模拟试验 6) Silicon on insulator SOI 1. An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler. 采用线锥形结构 ,在 silicon- on- insulator(SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型 3- d B多模干涉耦合器(MMI) 。 2. A 4×4 area modulation silicon on insulator (SOI) multimode interference coupler optical switch, composed of four cascaded 2×2 area modulation optical switches, has been designed. 根据区域调制多模干涉耦合器光开关的工作原理 ,以 2× 2区域调制多模干涉光开关为基础 ,采用级联的方式设计了 4× 4区域调制多模干涉SOI光波导开关。 3. Silicon on insulator(SOI) structure, as a very large scale integrated circuit(VLSI) wafer, has attractive features such as radiationhardening, no parasitic capacitance and latchup effect. 绝缘体上生长的薄单晶硅膜 (SOI)具有良好的横向绝缘、抗辐照、无锁存效应和无寄生电容 ,并能有效地提高硅集成电路的速度和集成度 ,在深亚微米 VL SI技术中 ,具有很大的优势和潜力。参考词条 SOI MOSFETs SOI LDMOS PD SOI SiGe/SOI SRAM/SOI SOI-LDMOS SDB/SOI SOI/SiGeOI Si1-xGex/SOI SOI/CMOS CMOS/SOI SOI NMOSFET SOS/SOI SOI PICs Power MOSFET MOSFET管 MOSFET 管体育场（馆）补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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