GaAs MOSFET,GaAs MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) GaAs MOSFET

GaAs MOSFET

2) MOSFET

界面粗糙散射

3) MOSFET

金属氧化物半导体场效应管

Some methods to drive metallic oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) are introduced.

从理论上详细分析了电路的工作原理 ,并且介绍了相关金属氧化物半导体场效应管 ( MOSFET)的栅极驱动方法。

4) MOSFET

场效应晶体管

Development of MOSFET TIG welding inverter;

场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制

Planar Split Dual Gate MOSFET:Fabrication,Design,and Layout;

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的设计与制作

The strain field in the channel of a p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor(PMOSFET)fabricated by integrating Ge pre-amorphization implantation for source/drain regions is evaluated using a finite-element method combined with large angle convergent-beam electron diffraction(LACBED).

本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。

5) MOSFET

MOSFET

Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining;

MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制

Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver;

步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计

Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects;

MOSFET辐射效应测试装置的研制

6) MOSFET

场效应管

MOSFET SWITCHING PILOT SOURCE;

开关式场效应管维弧电源的设计

DESING OF ZX7-125S MOSFET INVERTER WELDING MACHINE;

ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制

MOSFET invertor characteristics of robot arc welding system;

机器人场效应管式弧焊逆变器性能研究

参考词条

MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET's MOSFET MOSFET 不可逆性电击穿风机护罩

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

首页 \| 翻译 \| 影视 \| 论坛 \| 索引 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET

1) GaAs MOSFET GaAs MOSFET 2) MOSFET 界面粗糙散射 3) MOSFET 金属氧化物半导体场效应管 1. Some methods to drive metallic oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) are introduced. 从理论上详细分析了电路的工作原理 ,并且介绍了相关金属氧化物半导体场效应管 ( MOSFET)的栅极驱动方法。 4) MOSFET 场效应晶体管 1. Development of MOSFET TIG welding inverter; 场效应晶体管逆变式氩弧焊机的研制 2. Planar Split Dual Gate MOSFET:Fabrication,Design,and Layout; 平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管的设计与制作 3. The strain field in the channel of a p-type metal-oxide-semiconductor field effect transistor(PMOSFET)fabricated by integrating Ge pre-amorphization implantation for source/drain regions is evaluated using a finite-element method combined with large angle convergent-beam electron diffraction(LACBED). 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。 5) MOSFET MOSFET 1. Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining; MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制 2. Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver; 步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计 3. Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects; MOSFET辐射效应测试装置的研制 6) MOSFET 场效应管 1. MOSFET SWITCHING PILOT SOURCE; 开关式场效应管维弧电源的设计 2. DESING OF ZX7-125S MOSFET INVERTER WELDING MACHINE; ZX7－125S型场效应管逆变焊机的研制 3. MOSFET invertor characteristics of robot arc welding system; 机器人场效应管式弧焊逆变器性能研究参考词条 MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET MOSFET's MOSFET MOSFET 不可逆性电击穿风机护罩补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
©2008 dictall.com