1)  MOSFET/IGBT
MOSFET/IGBT
1.
The Application of MOSFET/IGBT Half Bridge Drive Chip IR2111;
MOSFET/IGBT半桥驱动芯片IR2111的应用研究
2)  power MOSFET/IGBT
功率MOSFET/IGBT
1.
The characteristics of IR2111 and IR2130 power MOSFET/IGBT driver is introduced .
介绍了IR2111和IR2130功率MOSFET/IGBT驱动器的特点 ,分析了以IR2111和IR2130作为功率元件驱动器的PWM直流伺服系统主电路的工作原理。
3)  MO
MO
1.
Microstructure and Mechanical Properties of B_4C/TiC/Mo Ceramic Composites;
B_4C/TiC/Mo陶瓷复合材料的力学性能和微观结构
2.
Analysis of Mn,Mo,V,Ni,Al,Cu,Cr in low alloy steel by ICP-AES;
ICP-AES分析低合金钢中的Mn、Mo、V、Ni、Al、Cu、Cr元素
3.
Effects of Mg,B,Mo,Ca Spraying on Nicotine,Polyphenols,and Other Components in Flue-cured Tobacco;
喷施Mg、B、Mo、Ca对烤烟烟碱、多酚类等成分的影响
4)  Mo(Ⅵ)
Mo()
5)  molybdenum(Ⅳ)
Mo(Ⅳ)
6)  molybdenum(Ⅵ)
Mo(Ⅵ)
参考词条
补充资料:高压功率MOSFET门极驱动电路


高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路,又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中,而驱动电路位于低电位,因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容,故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器,电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源,电路复杂,价格较贵,体积大,但开关很快,信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器,电路简单,费用可行,但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术,信号频率较低时,变压器尺寸显著增加,寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快,现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来,一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用,使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关,而且因具有悬浮输出,故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器,在三相逆变电路中,用一片组件,一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET,使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小,门极极间电容可快速充放电,提高了功率器件开关速度,开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时,门极信号钳位于低电平,以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件,故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
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