RG-MOSFET,Photoluminescence,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) Photoluminescence

RG-MOSFET

2) Rg

B)and Rg,on platelet aggregation,platelet adhesion,TXA 2 and PGI 2 in rat model of blood stasis syndromes.

采用皮下注射肾上腺素加冰水冷浴法造大鼠血瘀模型 ,观察丹参、三七的有效部位丹酚酸B、Rg对血小板粘聚性及TXB2 、6 Keto PGF1α的含量的影响。

3) RG line

RG线

This paper presents the concept that the correspoding locus of the RG line is the true floating datum.

本文提出RG线所对应的空间位置是真正的浮动基准面的概念，论述了水平校正基准面两步法静校正的优点，指出当前在某盆地所采用的“浮动基准面”是一种固定基准面，而不是浮动基准面。

4) Rg

Rg波

Generation of null in Rg wave by underground explosions;

地下爆炸Rg波低谷点激发机理

5) RG value

RG值

6) 1-Naphthol-3,6-disulfonic acid

RG酸

参考词条

栅电阻Rg H5N1/A/xinjiang/1/2006-RG RG防水涂料人参皂苷Rg 改进RG算法三七皂苷Rg HRgX（Rg=He、Ne、Ar、Kr RG屋面防水涂料 20（S）人参皂苷Rg B-RG-II复合物 Go¨del蕴涵算子RG 人参皂甙Rg_（3）流出系数 RG 公式可靠性增长试验（RG）人肥大细胞类糜蛋白酶丽水生态旅游

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) Photoluminescence RG-MOSFET 2) Rg Rg 1. B)and Rg,on platelet aggregation,platelet adhesion,TXA 2 and PGI 2 in rat model of blood stasis syndromes. 采用皮下注射肾上腺素加冰水冷浴法造大鼠血瘀模型 ,观察丹参、三七的有效部位丹酚酸B、Rg对血小板粘聚性及TXB2 、6 Keto PGF1α的含量的影响。 3) RG line RG线 1. This paper presents the concept that the correspoding locus of the RG line is the true floating datum. 本文提出RG线所对应的空间位置是真正的浮动基准面的概念，论述了水平校正基准面两步法静校正的优点，指出当前在某盆地所采用的“浮动基准面”是一种固定基准面，而不是浮动基准面。 4) Rg Rg波 1. Generation of null in Rg wave by underground explosions; 地下爆炸Rg波低谷点激发机理 5) RG value RG值 6) 1-Naphthol-3,6-disulfonic acid RG酸参考词条栅电阻Rg H5N1/A/xinjiang/1/2006-RG RG防水涂料人参皂苷Rg 改进RG算法三七皂苷Rg HRgX（Rg=He、Ne、Ar、Kr RG屋面防水涂料 20（S）人参皂苷Rg B-RG-II复合物 Go¨del蕴涵算子RG 人参皂甙Rg_（3）流出系数 RG 公式可靠性增长试验（RG）人肥大细胞类糜蛋白酶丽水生态旅游补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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