p-MOSFET,p-MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) p-MOSFET

p-MOSFET

Impact of 〈100〉Channel Direction for High Mobility p-MOSFETs on Biaxial Strained Silicon;

〈100〉沟道方向对高迁移率双轴应变硅p-MOSFET的作用(英文)

2) pⅨ

pⅨ

Construction of a new phagemid for phage display using phage coat protein pⅨ and its primary evaluation;

新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价

3) P)

P）

4) PⅣ

PⅣ

In this paper, on the basis of the analysis of the characteristics of wind-blown-sand flow in view of gas-solid two-phase flow, the sand incipience process was realized and observed by using Particle Imaging Velocimeter (PⅣ) technique in a specially designed test facility and the influence factors were discussed.

本文在对风沙流进行气固两相流分析的基础上实现了低风速条件下的沙粒起动过程,借助PⅣ测量系统对其进行了观测并对影响因素进行了分析,获得了沙粒的浓度和速度分布。

5) P-IS

P-IS

6) P-Ⅲ

P-Ⅲ

Mathematical Solution of Φ-value in P-Ⅲ;

P-Ⅲ中Φ值数学解法的探讨

参考词条

（P,P+1）图性质（p_p） P-P波 P-P间期 Normal P-P Plot 弱（p,p）型强（p,p）型 P-P模型 P-P结 GMAW-P P-RCAPMP P-EPQ T-P p'-DDT P-DADMAC S-52规范 “视域”

补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) p-MOSFET p-MOSFET 1. Impact of 〈100〉Channel Direction for High Mobility p-MOSFETs on Biaxial Strained Silicon; 〈100〉沟道方向对高迁移率双轴应变硅p-MOSFET的作用(英文) 2) pⅨ pⅨ 1. Construction of a new phagemid for phage display using phage coat protein pⅨ and its primary evaluation; 新型pⅨ噬菌体展示系统的建立及初步评价 3) P) P） 4) PⅣ PⅣ 1. In this paper, on the basis of the analysis of the characteristics of wind-blown-sand flow in view of gas-solid two-phase flow, the sand incipience process was realized and observed by using Particle Imaging Velocimeter (PⅣ) technique in a specially designed test facility and the influence factors were discussed. 本文在对风沙流进行气固两相流分析的基础上实现了低风速条件下的沙粒起动过程,借助PⅣ测量系统对其进行了观测并对影响因素进行了分析,获得了沙粒的浓度和速度分布。 5) P-IS P-IS 6) P-Ⅲ P-Ⅲ 1. Mathematical Solution of Φ-value in P-Ⅲ; P-Ⅲ中Φ值数学解法的探讨参考词条（P,P+1）图性质（p_p） P-P波 P-P间期 Normal P-P Plot 弱（p,p）型强（p,p）型 P-P模型 P-P结 GMAW-P P-RCAPMP P-EPQ T-P p'-DDT P-DADMAC S-52规范 “视域” 补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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