1)  MOSFET/SOI
MOSFET/SOI
1.
Hot Carrier-Induced Interface Traps in N-Channel MOSFET/SOI Characterized by a Forward Gated Diode Technique;
热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征
2)  MO
MO
1.
Microstructure and Mechanical Properties of B_4C/TiC/Mo Ceramic Composites;
B_4C/TiC/Mo陶瓷复合材料的力学性能和微观结构
2.
Analysis of Mn,Mo,V,Ni,Al,Cu,Cr in low alloy steel by ICP-AES;
ICP-AES分析低合金钢中的Mn、Mo、V、Ni、Al、Cu、Cr元素
3.
Effects of Mg,B,Mo,Ca Spraying on Nicotine,Polyphenols,and Other Components in Flue-cured Tobacco;
喷施Mg、B、Mo、Ca对烤烟烟碱、多酚类等成分的影响
3)  Mo(Ⅵ)
Mo（）
4)  molybdenum(Ⅳ)
Mo（Ⅳ）
5)  molybdenum(Ⅵ)
Mo（Ⅵ）
6)  Molybdenum
Mo
1.
Influence of Ti6Al4V base temperature on properties of molybdenum alloying layer;
基体温度对Ti6Al4V表面渗Mo合金层性能的影响
2.
The microstructure exhibits an obvious trend to be fined with the addition of molybdenum.
采用纳米TiN、亚微米TiC和Mo等原材料,以金属Co作为粘结剂,利用真空烧结技术制备了细晶粒Ti(C,N)基金属陶瓷材料,研究了所得金属陶瓷的显微结构和力学性能。
3.
The molybdenum sheets doped with different contents of La2O3 (Mo-La2O3) were prepared by powder metallurgy and processing technology.
采用粉末冶金和压力加工方法制备了不同 La_2O_3含量 Mo-La_2O_3板材。
参考词条
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路


高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
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