1) GeSi MOSFET
GeSi MOSFET
1.
The Influence of GeSi MOSFET Longitudinal Structure on Device Performance;
GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
2) GeSi
GeSi
1.
The Manufacture of P GeSi/P Si Photodetector;
P-GeSi/P-Si探测器的研制
2.
Investigation on 1.3 μm GeSi single waveguide electro optic switches with low power loss;
1.3μm GeSi单波导低功耗电光开关的探索
3.
Monolithic opto-electronic integration of GeSi modulator and photodetector;
GeSi调制器与探测器单片光电集成
3) MOSFET
MOSFET
1.
Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining;
MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制
2.
Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver;
步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计
3.
Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects;
MOSFET辐射效应测试装置的研制
4) MOSFET~{
MOSFET's
5) GeSi/Si
GeSi/Si
1.
MAKING OF GeSi/Si STRAIN SUPERLATTICE DETECTORS;
GeSi/Si应变超晶格探测器的制作
6) GeSi HBT
GeSi HBT
1.
With the development of GeSi epitaxy technology, the performance of GeSi HBTs is already superior to Si BJTs, and to AlGaAs/GaAs HBTs and GaAs MESFETs in some aspects, so the GeSi HBTs have much prospect for wide applications.
随着GeSi外延技术的发展,GeSi HBT的性能远远优于Si BJT,并在某些方面优于AlGaAs/GaAs HBT、GaAs MESFET,所以GeSi HBT具有广阔的应用前景。
参考词条
Power MOSFET
MOSFET管
MOSFET 管
Si-MOSFET
MOSFET/IGBT
Trench MOSFET
SOI MOSFET
RF MOSFET
MOSFET栅
MOSFET-C
n-MOSFET
p-MOSFET
DG MOSFET
MOSFET/SOI
MOSFET s
RG-MOSFET
LDD MOSFET
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补充资料:高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路,又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中,而驱动电路位于低电位,因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容,故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器,电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源,电路复杂,价格较贵,体积大,但开关很快,信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器,电路简单,费用可行,但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术,信号频率较低时,变压器尺寸显著增加,寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快,现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来,一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用,使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关,而且因具有悬浮输出,故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器,在三相逆变电路中,用一片组件,一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET,使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小,门极极间电容可快速充放电,提高了功率器件开关速度,开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时,门极信号钳位于低电平,以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件,故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
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