1) Power MOSFET Transister
功率MOSFET管
1.
Research of RCC Converter Based on Power MOSFET Transister;
基于功率MOSFET管的RCC变换器研究
2) Power
功率
1.
Power Calculation of Twin Rotor Mixer;
双转子连续混炼机功率计算
2.
Ways of Power Signal’s Simultaneous Processing;
机床切削功率信号实时处理方法
3) power consumption
功率
1.
In the research, mass transfer coefficients (KLa) of various type of agitators in a vertical cylindrical vessel were measured by pure oxygen absorption method, aad the power consumption were also determined.
本文采用纯氧物理吸收法在立式圆筒形釜中测定了气液容积传质系数K_La,也测量了功率。
2.
The power consumption characteristics of the absorber of CO_2 by watering a rotating packed bed with wire packing in air independent propulsion(AIP) were throretically analyzed and the power model of this absorber was built on the experiments.
对不依赖空气动力装置(AIP)系统的水吸收CO2不锈钢丝网填料旋转床吸收器功耗特性进行了理论分析和实验研究,建立了该型吸收器功率消耗模型。
3.
The real power consumption of saline field filming machine (SFM) is composed of rotating power (including power of cutting soil and throw rising soil) and hauling power,which are very difficult to determine because the function of SFM is different from that of a rotary cultivator.
在防渗铺膜机实际功耗很难确定的条件下，以因次分析为基础，用小型样机测出主要参数，由瑞烈法确定受力的数学模型，求出在实际工作状态下的功耗，为选取牵引拖拉机的功率提供了可靠的依据。
4) aggregate capacity
"总功率,机组功率"
5) high-power
大功率
1.
Manufacture and application of high-power fast gleithobel plough;
大功率快速滑行刨煤机的研制与应用
2.
Primary analyses of the development of marine high-power diesel engine industry;
船用大功率柴油机产业发展初步分析
3.
Optimum Design of Passive Coupler with Two-way Splitter for High-power Laser;
大功率激光两分束无源耦合器的优化设计
6) Power factor
功率因数
1.
Principle and approach to improve power factor of induction furnace of intermediate frequency;
一种提升中频加热炉功率因数的原理及方法
2.
Design and experiment of high power factor converter on arc welding inverter power source;
高功率因数弧焊逆变电源的整流器设计与实验
3.
The Method of Group-Control for Electronic Ballasting of the High Power Factor;
高功率因数电子镇流的群控方法
参考词条
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。