n-MOSFET,n-MOSFET,在线英语词典,英文翻译,专业英语

1) n-MOSFET

n-MOSFET

1/f~γ Noise Characteristics of an n-MOSFET Under DC Hot Carrier Stress;

DC应力n-MOSFET热载流子退化的1/f噪声特性(英文)

Analyses on high-temperature electrical properties of 4H-SiC n-MOSFET;

4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析

Effect of SiO_2/SiC Interface on Inversion Channel Electron Mobility of 4H-SiC n-MOSFET;

SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响

2) PLC

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3) N)

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6) A(n)

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参考词条

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补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路

高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

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1) n-MOSFET n-MOSFET 1. 1/f~γ Noise Characteristics of an n-MOSFET Under DC Hot Carrier Stress; DC应力n-MOSFET热载流子退化的1/f噪声特性(英文) 2. Analyses on high-temperature electrical properties of 4H-SiC n-MOSFET; 4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析 3. Effect of SiO_2/SiC Interface on Inversion Channel Electron Mobility of 4H-SiC n-MOSFET; SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响 2) PLC n￡ 3) N) N） 4) N~+ N~+ 5) n))}seguence n）} 6) A(n) A（n）参考词条 n（R）/n（Si） n（SiO2）/n（F） N:N通信 N,N'二2' N,N'dicyclohexylcarbodiimide） n（SiO_2）/n（Al_2O_3） N:N网络 D=（dij）n×n N-N'控制（GaN）n/（AlN）n Wh（n,n） n（Zn）:n（Ga） n×n棋盘 K_（n,n）图膨化重油语图补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路高压功率MOSFET门极驱动电路 high voltage power MOSFET gate driver gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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