1)  Power MOSFET
Power MOSFET
1.
Research on the Switching Property of Power MOSFET under Practical Application Conditions(Ⅰ);
实际应用条件下Power MOSFET开关特性研究(上)
2)  POWER
Power
1.
Design and GUI application of small keyboard driver based on POWER framework;
在基于Power的ml403验证板上,以嵌入式linux为操作系统,以QT-embedded为GUI,对板子自带五方向功能键的驱动程序进行了新的设计及开发,并运用于GUI底层事件驱动。
3)  MOSFET
MOSFET
1.
Research on the Industrialization Power Supply for MOSFET High Frequency Short Pulse Electrochemical Machining;
MOSFET高频窄脉冲电解加工工程化电源研制
2.
Design of MOSFET Driver Used in the Stepping-motor Driver;
步进电机驱动器中MOSFET的驱动设计
3.
Development of equipment for testing MOSFET’s radiation effects;
MOSFET辐射效应测试装置的研制
4)  MOSFET~{
MOSFET's
5)  GT-POWER
GT-POWER
1.
Application of GT-POWER in Design of Exhaust Muffler for Internal Combustion Engine;
GT-POWER在内燃机排气消声器设计中的应用
2.
Optimized design of valve timing in diesel engine based on GT-Power;
基于GT-POWER的柴油机配气定时的优化设计
3.
The Study of Mufflers Insert Loss Based on GT-Power with Parallel of Expansionary Insert-pipe Inside of Two Rooms;
基于GT-Power的并联内插管双室扩张式消声器插入损失研究
6)  power builder
Power builder
1.
Realization of Series Communication in Power Builder;
Power Builder中实现串行通信的方法探讨
2.
The Method of Creating Data-table and Showing Data-window Dynamically in Power Builder;
Power Builder中数据表动态建立及数据窗口动态显示的实现
3.
Application of Power Builder in Device Management of Bailong Coal Washing Plant;
Power Builder在白龙洗煤厂设备管理中的应用
参考词条
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路


高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver

gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。