2) germanium monocrystalline
锗单晶体
3) germaium(Ge) crystal
锗(Ge)晶体
4) germaniumtransistor
锗晶体管
5) bismuth germanate crystal
锗酸铋晶体
1.
The etching morphology of bismuth germanate crystals grown by Bridgmanmethod were inverstigated.
研究了坩埚下降法生长锗酸铋晶体(BGO)的腐蚀形貌,比较了{112}、{111}、{110}、{100}晶面族的腐蚀形貌特征和速度,利用 X 射线劳厄定向并借助于极图确定了腐蚀坑的结晶学方位,推测了蚀坑的组成晶面主要是{112},其次是{110}。
补充资料：锗单晶
分子式：Ge
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条