1) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
2) Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
3) cadmium germanium diphosphide crystal
二磷化锗镉晶体
4) zinc germanium diarsenide crystal
二砷化锗锌晶体
5) cadmium silicon diarsenide crystal
二砷化硅镉晶体
6) cadmium tin diarsenide crystal
二砷化锡镉晶体
补充资料：二砷化锗镉晶体
分子式：CdGeAs2
CAS号：
性质：周期表第II，IV，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5943nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度0.57eV，电子和空穴迁移率分别为7×10-2和2.5×10-1m2/(V·s)。熔点670℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法等制备。为非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表第II，IV，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5943nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度0.57eV，电子和空穴迁移率分别为7×10-2和2.5×10-1m2/(V·s)。熔点670℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法等制备。为非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条