1) Zinc germanium phosphide
磷锗锌晶体
1.
Zinc germanium phosphide optical parametric oscillator;
磷锗锌晶体(ZnGeP2,简称ZGP)采用Ⅰ类相位匹配方式,切割角度θ为55°,φ为0°,尺寸5。
3) zinc germanium diphosphide crystal
二磷化锗锌晶体
4) zinc germanium phosphide crystal
磷锗锌(ZGP)晶体
5) zinc germanium diarsenide crystal
二砷化锗锌晶体
6) cadmium germanium diphosphide crystal
二磷化锗镉晶体
补充资料：二磷化锗锌晶体
分子式：ZnGeP2
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构。晶格常数0.5465nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型半导体,空穴迁移率为1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法、锌液中生长等法制取。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条