1) germanium sulphide crystal
硫化锗晶体
2) germanium telluride crystal
碲化锗晶体
3) germanium selenide crystal GeSe
硒化锗晶体
5) Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
6) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
补充资料：硫化锗晶体
分子式：GeS
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。正交晶结构，离子性晶体。晶格常数0.430nm。密度4.24g/cm3。熔点674℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.8eV。采用熔化再结晶方法制备。为半导体材料。锗冶金过程重要中间产物。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族元素化合物半导体。正交晶结构，离子性晶体。晶格常数0.430nm。密度4.24g/cm3。熔点674℃。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.8eV。采用熔化再结晶方法制备。为半导体材料。锗冶金过程重要中间产物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条