说明:双击或选中下面任意单词,将显示该词的音标、读音、翻译等;选中中文或多个词,将显示翻译。
您的位置:首页 -> 词典 -> 砷化锗镉晶体
1)  Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
2)  cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
3)  cadmium germanium diphosphide crystal
二磷化锗镉晶体
4)  zinc germanium diarsenide crystal
二砷化锗锌晶体
5)  cadmium silicon diarsenide crystal
二砷化硅镉晶体
6)  cadmium tin diarsenide crystal
二砷化锡镉晶体
补充资料:碲化镉汞晶体
分子式:
CAS号:

性质:Hg1-xCdxTe 0≤x≤1  共价键结合,有离子键成分。立方晶系闪锌矿结构。为直接带隙半导体,室温禁带宽度随x在1.5~-0.15eV范围。电子迁移率1.9m2/(V·s)。用布里奇曼法、水平区熔法等制备大块晶体。用蒸发、溅射、分子束外延等方法制备薄膜。用于制作红外探测器等。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条