1) germanium selenide crystal GeSe
硒化锗晶体
2) germanium sulphide crystal
硫化锗晶体
3) germanium telluride crystal
碲化锗晶体
4) germanium diselenide
二硒化锗
5) bismuth selenide crystal
硒化铋晶体
6) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
补充资料：硒化锗晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族化合物半导体。正交晶系离子性晶体，晶格常数0.438nm。为直接带隙半导体。密度5.56g/cm3。熔点670℃。室温禁带宽度1.53eV。电子和空穴迁移率分别为0.1m2/(V·s)和3×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。
CAS号：
性质：周期表第Ⅳ、Ⅵ族化合物半导体。正交晶系离子性晶体，晶格常数0.438nm。为直接带隙半导体。密度5.56g/cm3。熔点670℃。室温禁带宽度1.53eV。电子和空穴迁移率分别为0.1m2/(V·s)和3×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条