1) germanium telluride crystal
碲化锗晶体
2) TeO 2 crystal
氧化碲晶体
3) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
4) mercury telluride crystal
碲化汞晶体
5) manganese telluride crystal
碲化锰晶体
6) lead telluride crystal
碲化铅晶体
补充资料：碲化锗晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第IV，VI族元素化合物半导体。离子性晶体。三角晶系面心结构，密度6.19g/cm3。熔点724℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.23eV，属窄能隙半导体，空穴迁移率7×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。用作红外光发射和探测材料。
CAS号：
性质：周期表第IV，VI族元素化合物半导体。离子性晶体。三角晶系面心结构，密度6.19g/cm3。熔点724℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.23eV，属窄能隙半导体，空穴迁移率7×10-3m2/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。用作红外光发射和探测材料。
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参考词条