1) zinc germanium diarsenide crystal
二砷化锗锌晶体
2) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
3) zinc germanium diphosphide crystal
二磷化锗锌晶体
4) zinc silicon diarsenide crystal
二砷化硅锌晶体
5) Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
补充资料：二砷化锗锌晶体
分子式：ZnGeAs2
CAS号：
性质： 周期表Ⅱ，Ⅳ，Ⅵ族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构，晶格常数0.5672nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.5eV。空穴迁移率2.3×10-3m2/(V·s)。熔点850℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。非线性光学材料。
CAS号：
性质： 周期表Ⅱ，Ⅳ，Ⅵ族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿结构，晶格常数0.5672nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.5eV。空穴迁移率2.3×10-3m2/(V·s)。熔点850℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条