1) cadmium germanium diphosphide crystal
二磷化锗镉晶体
2) cadmium germanium diarsenide crystal
二砷化锗镉晶体
3) zinc germanium diphosphide crystal
二磷化锗锌晶体
4) cadmium silicon diphosphide crystal
二磷化硅镉晶体
5) Cadmium germanium arsenide
砷化锗镉晶体
1.
Cadmium germanium arsenide, CdGeAs2, has promising advantage for its attractive nonlinear optical properties in all chalcopyrite semiconductors.
砷化锗镉晶体(CdGeAs2)是黄铜矿类半导体晶体中综合性能最优者,其非线性光学系数和远红外区透过率很高,但其在中红外区5。
补充资料：二磷化锗镉晶体
分子式：CdGeP2
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格、晶格常数0.5740nm。为直接间隙半导体,室温禁带宽度1.72eV,电子和空穴迁移率分别为1×10-2和2.5×10-3m2/(V·s),熔点570℃。用在锡溶液中生长法制备。为近红外发光和激光材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ,IV,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构。为复式晶格、晶格常数0.5740nm。为直接间隙半导体,室温禁带宽度1.72eV,电子和空穴迁移率分别为1×10-2和2.5×10-3m2/(V·s),熔点570℃。用在锡溶液中生长法制备。为近红外发光和激光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条