1) gallium aluminum antimonide crystal
锑化铝镓晶体
2) indium gallium antimonide crystal
锑化镓铟晶体
3) gallium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝镓
4) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
5) gallium antimonide single crystal
锑化镓单晶
6) gallium antimonide arsenide single crystal
砷锑化镓单晶
补充资料：锑化铝镓晶体
分子式：Ga1-xA1xSb 0≤x≤l
CAS号：
性质：周期表系第III、V族元素化合物。共价键结合，有一定的离子键成分。为间接带隙半导体，禁带宽度在0.7～1.62eV范围，电子迁移率2.64×10-2m2/(V·s)，电阻率7.5×10-4Ω·m。熔点712.1～1081℃。可在砷化镓衬底上用外延方法制备。用于制作发光器件。
CAS号：
性质：周期表系第III、V族元素化合物。共价键结合，有一定的离子键成分。为间接带隙半导体，禁带宽度在0.7～1.62eV范围，电子迁移率2.64×10-2m2/(V·s)，电阻率7.5×10-4Ω·m。熔点712.1～1081℃。可在砷化镓衬底上用外延方法制备。用于制作发光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条