1) gallium aluminum phosphide single crystal
磷化铝镓单晶
2) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
3) gallium aluminum arsenide single crystal
砷化铝镓单晶
4) indium gallium phosphide single crystal
磷化镓铟单晶
5) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
6) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
补充资料：磷化铝镓单晶
分子式：Ga1-xAlxP；0≤x≤1
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
CAS号：
性质：共价键结合，有一定的离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度随z变化在2.26～2.45eV范围。采用外延方法制备。是制作半导体可见光发光器件的材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条