1) GaSb
锑化镓
1.
Observation of Damage Layer on Surface of GaSb Wafer by SEM and TEM;
不同加工工艺的锑化镓晶片损伤研究
2.
Ge and GaSbare selected, two kinds of narrow gap semiconductors, to produce homo-junction TPV withthe heat diffusion.
本论文首先阐述了热光伏技术的国内外发展现状、应用场合、应用前景，同时在论文中详细的阐述了热光伏电池在近红外光线照射下发电的原理；选取锗(Ge)和锑化镓(GaSb)二种窄禁带的半导体材料用热扩散的方法来制作同质结热光伏电池，并详细阐述制作热光伏电池的工艺流程，其中包括基片的准备、表面清洗、扩散制结、腐蚀周边、电极的设计和制作、制版等工艺；最后测试半导体材料的部分参数和成品电池的部分电性能参数。
2) gallium antimonide
锑化镓<冶>
3) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4) gallium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝镓
5) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
6) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
补充资料：锑化镓
分子式：
CAS号：
性质：熔融体为灰色具有金属光泽。在水中和空气中稳定。难溶于盐酸和硫酸。在硝酸中钝化。400℃可为空气中氧所氧化。由金属镓和锑直接反应制取。晶体为半导体材料。
CAS号：
性质：熔融体为灰色具有金属光泽。在水中和空气中稳定。难溶于盐酸和硫酸。在硝酸中钝化。400℃可为空气中氧所氧化。由金属镓和锑直接反应制取。晶体为半导体材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条