1) gallium aluminum arsenide single crystal
砷化铝镓单晶
2) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
3) HB-GaAs single ctystle
水平砷化镓单晶
4) gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓单晶
5) indium gallium arsenic phosphide single crystal
磷砷化镓铟单晶
6) indium gallium arsenide single crystal
砷化镓铟单晶
补充资料：砷化铝镓单晶
分子式：GaxAl1-xAs 0≤x≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为三元固溶体共价键结构，有一定离子键成分。闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度2.13～1.428eV。可在砷化镓衬底上用外延法制备。制作近红外发光器和激光器件材料和冷阴极发射材料。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为三元固溶体共价键结构，有一定离子键成分。闪锌矿型结构。为间接带隙半导体，禁带宽度2.13～1.428eV。可在砷化镓衬底上用外延法制备。制作近红外发光器和激光器件材料和冷阴极发射材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条