1) AlGaN/GaN HEMT
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管
2) GaN-based HEMT
氮化镓基高电子迁移率晶体管
3) GaAs power PHEMT
砷化镓功率赝配高电子迁移率晶体管
4) GaAs HEMT
砷化镓高电子迁移率晶体管
5) GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(pHEMT)
砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管
6) GaAs PHEMT-technology
砷化镓赝晶高电子迁移率器件工艺
补充资料：金钯铁镓合金
分子式：
CAS号：
性质：金基添加钯、铁和镓的四元高电阻合金。有AuPdFeGa44.7-9.4-1.1，AuPdFeGa36.2-6.4-1.5，AuPdFeGa33.4-5.6-2等。
CAS号：
性质：金基添加钯、铁和镓的四元高电阻合金。有AuPdFeGa44.7-9.4-1.1，AuPdFeGa36.2-6.4-1.5，AuPdFeGa33.4-5.6-2等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条