1) antimony telluride crystal
碲化锑晶体
2) silver antimony ditelluride crystal
二碲化锑银晶体
3) TeO 2 crystal
氧化碲晶体
4) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
5) mercury telluride crystal
碲化汞晶体
6) manganese telluride crystal
碲化锰晶体
补充资料：碲化锑晶体
分子式：Sb2Te3
CAS号：
性质：周期表第V，VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合，有一定的范德瓦尔斯键成分，三角晶系，原胞为菱形六面体。密度6.5g/cm3。熔点620℃。禁带宽度0.23eV。电阻率为3×10-6Ω·m时的塞贝克系数为100μV/K。温差电优质系数0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制备。为温差电材料。
CAS号：
性质：周期表第V，VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合，有一定的范德瓦尔斯键成分，三角晶系，原胞为菱形六面体。密度6.5g/cm3。熔点620℃。禁带宽度0.23eV。电阻率为3×10-6Ω·m时的塞贝克系数为100μV/K。温差电优质系数0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制备。为温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条