1) antimony selenide crystal
硒化锑晶体
2) antimony telluride crystal
碲化锑晶体
3) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
4) bismuth selenide crystal
硒化铋晶体
5) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
6) mercury selenide crystal HgSe
硒化汞晶体
补充资料：硒化锑晶体
分子式：Sb2Se3
CAS号：
性质：周期表V、Ⅵ族化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。属正交晶系，晶格常数1.162nm。密度5.81g/cm3。熔点612℃。禁带宽度1.20eV。电子和空穴迁移率分别为1×10-2m2/(V·s)和5×10-3m2/(V·s)。采用布里奇曼法制备。用于光电池制作。
CAS号：
性质：周期表V、Ⅵ族化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。属正交晶系，晶格常数1.162nm。密度5.81g/cm3。熔点612℃。禁带宽度1.20eV。电子和空穴迁移率分别为1×10-2m2/(V·s)和5×10-3m2/(V·s)。采用布里奇曼法制备。用于光电池制作。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条