1) copper gallium disulphide crystal
二硫化镓铜晶体
2) copper gallium diselenide crystal
二硒化镓铜晶体
3) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
4) copper aluminium disulphide crystal
二硫化铝铜晶体
5) copper indium disulphide crystal
二硫化铟铜晶体
6) silver gallium diselenide crystal
二硒化镓银晶体
补充资料：二硫化镓铜晶体
分子式：CuGaS2
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
CAS号：
性质：周期表Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构、晶格常数0.5349nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度2.42eV。一般为p型材料,空穴迁移率1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1280℃。采用布里奇曼法、定向凝固法等制备。用于制作可见光电致发光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条