1) copper gallium diselenide crystal
二硒化镓铜晶体
2) silver gallium diselenide crystal
二硒化镓银晶体
3) copper gallium disulphide crystal
二硫化镓铜晶体
4) copper aluminium diselenide crystal
二硒化铝铜晶体
5) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
6) silver selenogallate crystal
硒镓银晶体
补充资料：二硒化镓铜晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条