1) indium telluride crystal
碲化铟晶体
2) copper indium ditelluride crystal
二碲化铟铜晶体
3) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
4) indium telluride
碲化铟
5) indium selenide crystal
硒化铟晶体
6) indium antimonide crystal
锑化铟晶体
补充资料：碲化铟晶体
分子式： In2Te3
CAS号：
性质：周期表第III，V族元素化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。闪锌矿型结构。密度5.78g/cm3。熔点667℃。禁带宽度1.0eV，一般为n型材料，电子和空穴迁移率分别为3.4×10-2和5×10-3m2/(V·s)。热导率1.4W/(m·K)。采用布里奇曼法制备。用于制作红外探测器。
CAS号：
性质：周期表第III，V族元素化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。闪锌矿型结构。密度5.78g/cm3。熔点667℃。禁带宽度1.0eV，一般为n型材料，电子和空穴迁移率分别为3.4×10-2和5×10-3m2/(V·s)。热导率1.4W/(m·K)。采用布里奇曼法制备。用于制作红外探测器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条