1) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
2) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
3) copper indium disulphide crystal
二硫化铟铜晶体
4) copper indium ditelluride crystal
二碲化铟铜晶体
5) indium selenide crystal
硒化铟晶体
6) copper gallium diselenide crystal
二硒化镓铜晶体
补充资料：二硒化铜铟晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.577nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.04eV。电子和空穴迁移率分别为3.2×10-2m2/(V·s)和1×10-3m2/(V·s)。熔点990℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为近红外发光材料。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.577nm。为直接带隙半导体。室温禁带宽度1.04eV。电子和空穴迁移率分别为3.2×10-2m2/(V·s)和1×10-3m2/(V·s)。熔点990℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为近红外发光材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条