补充资料：碲化锡晶体

分子式：SnTe
CAS号：

性质：周期表第IV，VI族元素化合物半导体。氯化钠型结构，离子性晶体，有一定共价键成分。密度6.45g/cm3。熔点780℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV。电子和空穴迁移率分别为3×10-2和5×10-3m/(V·s)。采用直拉法、外延法制备，用于制作红外探测器。

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