1) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
2) bismuth tellurium semiconductor
碲化铋半导体
3) TeO 2 crystal
氧化碲晶体
4) mercury telluride crystal
碲化汞晶体
5) manganese telluride crystal
碲化锰晶体
6) lead telluride crystal
碲化铅晶体
补充资料:碲化铋晶体
分子式:Bi2Te3
CAS号:
性质:周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶,原胞为菱形六面体,晶格常数1.0473nm,密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合,有一定离子键成分。为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
CAS号:
性质:周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶,原胞为菱形六面体,晶格常数1.0473nm,密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合,有一定离子键成分。为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条