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1)  bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
2)  bismuth tellurium semiconductor
碲化铋半导体
3)  TeO 2 crystal
氧化碲晶体
4)  mercury telluride crystal
碲化汞晶体
5)  manganese telluride crystal
碲化锰晶体
6)  lead telluride crystal
碲化铅晶体
补充资料:碲化铋晶体
分子式:Bi2Te3  
CAS号:

性质:周期表第V,VI族元素化合物半导体。三角晶,原胞为菱形六面体,晶格常数1.0473nm,密度7.8587g/cm3。熔点575℃。由共价键结合,有一定离子键成分。为间接带隙半导体,室温禁带宽度0.145eV,电子和空穴迁移率分别为0.135和4.4×10-2m2/(V·s),温差电优质系数1.6×10-3/K。采用布里奇曼法、区域熔炼法、直拉法制备。为良好的温差材料。

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