1) silver indium diselenide crystal
二硒化铟银晶体
2) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
3) silver indium disulphide crystal
二硫化铟银晶体
4) silver indium ditelluride crystal
二碲化铟银晶体
5) indium selenide crystal
硒化铟晶体
6) AgGa_(1-x)In_xSe_2 crystal
硒铟镓银晶体
补充资料：二硒化铟银晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.6091nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.24eV，电子与空穴迁移率分别为6×10-2和7.5×10-2m2/(V·s)，熔点773℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法制备。
CAS号：
性质：周期表I，III，VI族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.6091nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.24eV，电子与空穴迁移率分别为6×10-2和7.5×10-2m2/(V·s)，熔点773℃。采用布里奇曼法、区域熔炼法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条