1) manganese telluride crystal
碲化锰晶体
2) TeO 2 crystal
氧化碲晶体
3) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
4) mercury telluride crystal
碲化汞晶体
5) lead telluride crystal
碲化铅晶体
6) antimony telluride crystal
碲化锑晶体
补充资料：碲化锰晶体
分子式：
CAS号：
性质：MnTe周期表第VII，VI族元素化合物半导体，共价键与离子键结合。六角晶系，晶格常数0.4142nm。熔点1170℃。禁带宽度0.90eV。一般为p型材料，空穴迁移率1.7×10-4m2/(V·s)，电阻率10-4Ω·m，温差电材料优质系数0.35×10-3/K。采用区域熔炼法制备。为高温用温差电材料。
CAS号：
性质：MnTe周期表第VII，VI族元素化合物半导体，共价键与离子键结合。六角晶系，晶格常数0.4142nm。熔点1170℃。禁带宽度0.90eV。一般为p型材料，空穴迁移率1.7×10-4m2/(V·s)，电阻率10-4Ω·m，温差电材料优质系数0.35×10-3/K。采用区域熔炼法制备。为高温用温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条