1) copper indium disulphide crystal
二硫化铟铜晶体
2) copper indium diselenide crystal
二硒化铜铟晶体
3) copper indium ditelluride crystal
二碲化铟铜晶体
4) silver indium disulphide crystal
二硫化铟银晶体
5) copper gallium disulphide crystal
二硫化镓铜晶体
6) copper aluminium disulphide crystal
二硫化铝铜晶体
补充资料：二硫化铟铜晶体
分子式：CuInS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，IV族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.5524nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.55eV。电子和空穴迁移率分别为2×10-2和1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1050℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为光电池材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ，III，IV族元素化合物半导体。共价键结合，有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构，品格常数0.5524nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.55eV。电子和空穴迁移率分别为2×10-2和1.5×10-3m2/(V·s)。熔点1050℃。采用布里奇曼法、定向凝固法制备。为光电池材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条