1) copper aluminium diselenide crystal
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二硒化铝铜晶体
2) copper gallium diselenide crystal
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二硒化镓铜晶体
3) copper indium diselenide crystal
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二硒化铜铟晶体
4) copper aluminium disulphide crystal
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二硫化铝铜晶体
5) copper aluminum ditelluride crystal
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二碲化铝铜晶体
6) silver gallium diselenide crystal
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二硒化镓银晶体
补充资料:二硒化铝铜晶体
分子式:CuAlSe2
CAS号:
性质:周期表第I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.5603nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV,一般为p型材料,空穴迁移率1×10-4m2/(V·s)。熔点1200℃。采用化学气相沉积法、定向凝固法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号:
性质:周期表第I,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.5603nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV,一般为p型材料,空穴迁移率1×10-4m2/(V·s)。熔点1200℃。采用化学气相沉积法、定向凝固法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条