1) bismuth selenide crystal
硒化铋晶体
2) bismuth telluride crystal
碲化铋晶体
3) bismuth selenide
硒化铋
4) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
5) mercury selenide crystal HgSe
硒化汞晶体
6) lead selenide crystal PbSe
硒化铅晶体
补充资料：硒化铋晶体
分子式：Bi2Se3
CAS号：
性质：周期表第V、Ⅵ族化合物半导体。三角晶系，原胞为菱形六面体。包含硒(1)铋硒(2)铋硒(1)五个原子。晶格常数0.9841nm，d=24°61′。共价键结合，但有一定的离子键成分。密度5.6g/cm3。熔点706℃。导带极小值位于布里渊区中心。为间接带隙半导体，电子有效惯性质量0.124m。禁带宽度0.145V。电子迁移率6×10-2m2(V·s)。电阻率2×10-5Ω。塞贝克系数200μV/K。热导率1.4W/(m·K)。采用布里奇曼法、直接法、区域熔炼法制备。为温差电材料。
CAS号：
性质：周期表第V、Ⅵ族化合物半导体。三角晶系，原胞为菱形六面体。包含硒(1)铋硒(2)铋硒(1)五个原子。晶格常数0.9841nm，d=24°61′。共价键结合，但有一定的离子键成分。密度5.6g/cm3。熔点706℃。导带极小值位于布里渊区中心。为间接带隙半导体，电子有效惯性质量0.124m。禁带宽度0.145V。电子迁移率6×10-2m2(V·s)。电阻率2×10-5Ω。塞贝克系数200μV/K。热导率1.4W/(m·K)。采用布里奇曼法、直接法、区域熔炼法制备。为温差电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条