补充资料：二硒化镓铜晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第I，III，VI族元素三元化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，晶格常数0.5620nm，共价键结合，有一定离子键成分。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.70eV，一般为p型材料，空穴迁移率2×10-3m2/(V·s)。熔点1040℃。采用布里奇曼法、区域熔炼等方法制取。

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