1) lead selenide crystal PbSe
硒化铅晶体
2) lead tin selenide crystal
硒化锡铅晶体
3) PbSe nanocrystals
硒化铅纳米晶
1.
Using Pb(Ac)_(2) and(Na_(2)SeSO_(3)) as Pb source and Se source respectively,the self-made quaternary ammonium salt of 2-undecyl-1-dithioureido-ethyl-imidazoline(SUDEI) as surfactant,PbSe nanocrystals with different morphology were synthesized by a solvothermal method in the medium of ethanol and distillated water.
L-1,反应温度150℃,反应时间12h,可制得分散较好的粒径约50~100 nm的四方形硒化铅纳米晶。
4) bismuth selenide crystal
硒化铋晶体
5) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
6) mercury selenide crystal HgSe
硒化汞晶体
补充资料：硒化铅晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第IV、VI族化合物半导体。离子性晶体，氯化钠型结构，为复式晶格。晶格常数0.6122nm。密度8.15g/cm3。熔点1065℃。第一布里渊区为截面八角体，电子的横向和纵向有效惯性质量分别为0.04m和0.07m。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.27eV，本征载流子浓度3×1022/m3，电子和空穴迁移率分别为0.102m2/(V·s)和9.3×10-2m2/(V·s)，6μm光的折射率为4.54。采用布里奇曼法、化学淀积法、升华再结晶法制备。为制作近红外区光电探测器材料。
CAS号：
性质：周期表第IV、VI族化合物半导体。离子性晶体，氯化钠型结构，为复式晶格。晶格常数0.6122nm。密度8.15g/cm3。熔点1065℃。第一布里渊区为截面八角体，电子的横向和纵向有效惯性质量分别为0.04m和0.07m。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.27eV，本征载流子浓度3×1022/m3，电子和空穴迁移率分别为0.102m2/(V·s)和9.3×10-2m2/(V·s)，6μm光的折射率为4.54。采用布里奇曼法、化学淀积法、升华再结晶法制备。为制作近红外区光电探测器材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条