1) cadmium selenide crystal CdSe
硒化镉晶体
2) mercury cadmium selenide crystal
硒化镉汞晶体
3) crystal encapsulated Cd(S xSe 1-x)
晶包硫硒化镉
4) cadmium selenide
硒化镉
1.
Semiconductor quantum dots(QDs)are inorganic nanocrystals consisted of a cadmium selenide (CdSe) core which was wrapped in an outer shell of zinc sulfide (ZnS).
半导体量子点是无机纳米结晶 ,构成于硒化镉核心和硫化锌外壳 。
5) CdSe
硒化镉
1.
The synthesis and photoluminescences(PL) spectra of silica-coated CdSe QDs;
硒化镉量子点的二氧化硅包覆
2.
Synthesis and Characterization of CdSe Quantum Dots and Its Encapsulation in SiO2;
低温水热法制备壳/核型硒化镉量子点及其性能研究
6) CdSexS1-x
硒硫化镉
1.
Boric silicate glasses doped with colorant Se and CdS was heated at different treatment regime to obtain nano CdSexS1-xstained glasses.
采用不同的热处理显色工艺对掺杂Se和CdS着色剂的硼硅酸盐玻璃进行热处理,制备出一系列的纳米硒硫化镉颜色玻璃,研究了热处理显色工艺对玻璃光透过性能的影响。
补充资料：硒化镉晶体
分子式：
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅵ族化合物半导体。离子键结合，有一定的共价键成分。六角晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.4299nm。密度5.74g/cm3。熔点1254℃。导带极小值和价带极大值均位于布里渊区中心，为直接带隙半导体。电子和空穴有效惯性质量分别为0.13m和0.4m。室温禁带宽度1.74eV，电子迁移率5×10-2m2/(V·s)。用液相外延、气相外延、分子束外延等方法制备晶体。用高压熔融法制备单晶，用于制作光探测器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅱ、Ⅵ族化合物半导体。离子键结合，有一定的共价键成分。六角晶系铅锌矿型结构，晶格常数0.4299nm。密度5.74g/cm3。熔点1254℃。导带极小值和价带极大值均位于布里渊区中心，为直接带隙半导体。电子和空穴有效惯性质量分别为0.13m和0.4m。室温禁带宽度1.74eV，电子迁移率5×10-2m2/(V·s)。用液相外延、气相外延、分子束外延等方法制备晶体。用高压熔融法制备单晶，用于制作光探测器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条