1) gallium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝镓
2) gallium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝镓
3) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
5) gallium aluminum antimonide crystal
锑化铝镓晶体
6) gallium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝镓
补充资料：磷锑化铝镓
分子式：InxAl1-xSbyP1-y；0≤x≤1；0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条