1) indium aluminum antimonide phosphide
磷锑化铝铟
2) indium aluminum antimonide arsenide
砷锑化铝铟
3) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
4) indium aluminum arsenic phosphide
磷砷化铝铟
5) InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
6) InSb-In
锑化铟-铟
1.
A kind of InSb-In eutectic film based magnet sensitive resistance is adopted for replacing the Hall sensing element in automotive electronic ignition system.
根据汽车点火系统的要求,综合考虑价格因素及实际的安装结构,设计了一种用锑化铟-铟共晶体磁敏电阻代替霍耳元件的电子点火系统,该系统不改变原系统的机械结构,仅在原分电器的基础上做微小的改动,因此其安装简便,且价格便宜,可以投入实施。
2.
A relatively omnidirectional vibration sensor made of InSb-In eutectic film magnetoresistance is introduced.
本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。
补充资料：磷锑化铝铟
分子式：InxAl1-xSbyP1-y 0≤x≤1，0≤y≤1
CAS号：
性质：周期表Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。禁带宽度随x、y发生变化。存在间接带隙半导体区。可在磷化铟、锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光直到2μm红外光发光器件和激光器件。
CAS号：
性质：周期表Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构。禁带宽度随x、y发生变化。存在间接带隙半导体区。可在磷化铟、锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延等方法制备。用于制作从0.6μm可见光直到2μm红外光发光器件和激光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条