1) aluminium gallium nitride alloys
氮化铝镓
2) AlGaN/GaN
氮镓铝/氮化镓
3) AlGaN/GaN heterojunction
铝镓氮/氮化镓异质结
4) AlGaN
铝镓氮
1.
But in the high-quality AlGaN/GaN heterostructure, there will be two dimensional electron gas (2DEG) system with high electronic density on the surface of heterostructure, even though all layers were.
但在高质量的铝镓氮/氮化镓异质结中,即使所有的层均不人为掺杂,仍可以在异质界面上形成高的面电子密度的二维电子气体系。
5) InAlGaN
铟铝镓氮
6) AlInGaN
铝铟镓氮
1.
AlInGaN quaternary alloys were successfully grown on sapphire substrate by radio-frequency plasma-excited molecular beam epitaxy(RF-MBE).
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铝铟镓氮(AlInGaN)四元合金,通过改变Al源的束流生长了不同组分的AlInGaN四元合金,材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测。
补充资料：氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷基复合材料
分子式：
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
CAS号：
性质：以氧化铝陶瓷为基体，氮化硅晶须为增强体的复合材料，是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须，可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中，加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%，断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条