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1)  AlGaInP
镓铝铟磷
2)  AlGaInP
铝镓铟磷
1.
A novel AlGaInP thin-film light emitting diode with omni directional reflector;
新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管
3)  AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
4)  p-type AlGaInP
p型铝镓铟磷
5)  GaInP/GaAs
镓铟磷/镓砷
6)  InAlGaN
铟铝镓氮
补充资料:镓铟磷砷
分子式:
CAS号:

性质: 四元固溶体材料。为单相固溶体。能隙在0.74~1.35eV范围,相应发射波长为0.92~165μm,折射率较低,易于实现载流子限制和光限制。在磷化铟衬底上采用外延生长法制备。大量用于制备1.3~1.6μm波段无色散、低损耗石英光纤通信中光源、量子器件等。

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