补充资料：半绝缘砷化镓单晶

分子式：
CAS号：

性质：电阻率大于1×107Ω·cm的砷化镓单晶。用掺入铬、氧等深受主杂质补偿硅等浅施主来生长半绝缘单位，也用高压单晶炉用热解坩埚由砷、镓直接合成非掺杂电子迁移率半绝缘单晶。为高速、高频器件及电路、光电集成电路的重要衬底材料。主要用作二氧化碳激光器的耦合输出窗口。

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