1) indium gallium antimonide arsenide
砷锑化镓铟
2) GaInAsSb
镓铟砷锑
3) InP/GaAsSb
磷化铟/镓砷锑
4) indium gallium antimonide phosphide
磷锑化镓铟
5) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
补充资料：砷锑化镓铟
分子式：InxGa1-xSbyAs1-y o≤x≤1 o≤y≤1
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。禁带宽度0.1～1.42eV。为制作2～4μm红外发光和激光器件的材料。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。为混合晶体，闪锌矿型结构。存在间接带隙半导体区。禁带宽度0.1～1.42eV。为制作2～4μm红外发光和激光器件的材料。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条