1) gallium antimonide single crystal
锑化镓单晶
2) gallium antimonide arsenide single crystal
砷锑化镓单晶
3) indium gallium antimonide crystal
锑化镓铟晶体
4) gallium aluminum antimonide crystal
锑化铝镓晶体
5) GaAs single crystal
砷化镓单晶
1.
Plastic deformation induced by indentation in a GaAs single crystal was investigated using electron microscopy in the present experiment.
用电子显微镜研究了压痕诱发砷化镓单晶中的塑性变形。
2.
049N Vickers indentation in GaAs single crystal has been investigated using high-resolution electron microscopy.
０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明。
6) gallium phosphide single crystal GaP
磷化镓单晶
补充资料：锑化镓单晶
分子式：
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。闪锌矿型结构，为复式晶格，晶常数0.6094nm。密度5.6137g/cm3，熔点712℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.70eV，本征载流子浓度5.0×1017/m2，较纯晶体的电子和空穴迁移率为0.2和8×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作发光器件。
CAS号：
性质：周期表第III、V族元素化合物半导体。共价键结合，有一定离子键成分。闪锌矿型结构，为复式晶格，晶常数0.6094nm。密度5.6137g/cm3，熔点712℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.70eV，本征载流子浓度5.0×1017/m2，较纯晶体的电子和空穴迁移率为0.2和8×10-2m2/(V·s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作发光器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条