1) room temperature wafer bonding
室温晶片键合
2) low temperature wafer bonding
低温晶片键合
1.
The fundamental principles of wafer bonding are presented, and the necessity ofrealizing low temperature wafer bonding is also given.
简单介绍了晶片键合的基本原理,指出了实现低温晶片键合的必要性;通过对比低温晶片键合技术的实现方式及其在通信光电子器件中的应用,指明表面改性是实现低温晶片键合的最有效手段。
3) Bonding at room temperatures
室温键合
4) wafer bonding
晶片键合
1.
A general wafer bonding criterion is deduced from minimum energy principle,which is developed by linear elastic thin plate theory.
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论。
2.
The results indicate that the wafer bonding was of high quality and the thermal stress of bonding.
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。
3.
Sequentially, the primary evaluation of the wafer bondingquality was realized.
通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化。
5) direct wafer bonding
晶片直接键合
1.
Over coming lattice and orientation mismatch, direct wafer bonding allows fabricating of structures and devices which can get through hetero-epitaxial growth.
晶片直接键合技术是材料集成的一项新工艺,是近年来集成光电子领域的研究热点之一。
补充资料：胶态微晶室温磷光法
分子式：
CAS号：
性质：将被分析物制成胶态微晶，在水溶液中形成均匀稳定的分散体系。利用在胶态微晶悬浊液界面上产生的室温磷光(RTP)信号进行定量分析的一种流体室温磷光法。体系可不必除氧，无需使用外部重原子微扰剂。但重现性差，磷光强度与分析物浓度不成直线关系。
CAS号：
性质：将被分析物制成胶态微晶，在水溶液中形成均匀稳定的分散体系。利用在胶态微晶悬浊液界面上产生的室温磷光(RTP)信号进行定量分析的一种流体室温磷光法。体系可不必除氧，无需使用外部重原子微扰剂。但重现性差，磷光强度与分析物浓度不成直线关系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条